「LLMで賢いロボ」「生成AIが英会話の教師」 注目4本
最近NIKKEI Tech Foresightに掲載した注目記事をまとめ読み形式でお届けします。 今回のラインアップLLMで賢いロボ、未知の物体片付け 研究者がIROS解説プリファード、AI基盤で巻き返し 岡野原氏が戦略語る教師は生成AI、英会話学習に革命 日本人の気質と合致「アンモニア混焼」で火力発電を脱炭素 日韓で供給網 LLMで賢いロボ、未知の物体片付け 研究者がIROS解説米国電気電子学会(
「量子」の基礎研究ニュース・論文(随時更新)
NIKKEI Tech Foresightに掲載した「量子」関連の基礎研究ニュースの一覧です。論文などへのリンクも張っていますのでご活用ください。随時更新します。 2023年11月24日掲載電通大、Si基板にInAsナノワイヤ作製 量子デバイスに〈キーワード〉半導体量子ナノワイヤ、量子ドット構造、シリコン基板、ヒ化インジウム、InAs、III-V族半導体、分子線エピタキシー、MBE、六方晶、ウルツ
「半導体」の基礎研究ニュース・論文(随時更新)
NIKKEI Tech Foresightに掲載した「半導体」関連の基礎研究ニュースの一覧です。論文などへのリンクも張っていますのでご活用ください。随時更新します。 2023年11月24日掲載電通大、Si基板にInAsナノワイヤ作製 量子デバイスに〈キーワード〉半導体量子ナノワイヤ、量子ドット構造、シリコン基板、ヒ化インジウム、InAs、III-V族半導体、分子線エピタキシー、MBE、六方晶、ウル
【アーカイブ映像】進化するAI・ロボティクス、最新LLMのインパクトをトップ研究者が解説
毎回、話題のトピックの専門家を招いて開催しているNIKKEI Tech ForesightのLIVEイベント。今回はAI(人工知能)研究者であるオムロン サイニックエックス(OSX)Research Organizerの牛久祥孝氏に、AI・ロボティクスの世界最先端の研究動向を紹介・解説して頂きました。 AIやロボティクスの進化が加速しています。生成AIに代表される新技術が急速に普及することで、産
プリファード岡野原氏「将棋AIと同じこと、産業界でも」
AI(人工知能)分野で先進的な取り組みを続けるPreferred Networks(プリファードネットワークス、PFN、東京・千代田)は、どのような体制やテーマで研究開発を進めているのか。同社代表取締役最高研究責任者の岡野原大輔氏は、ロボット制御や材料探索のAIに革新をもたらす可能性を秘めた「対称性」に注目していると話す。 引き出しにしまった研究を事業化 ――研究開発は失敗がつきものです。その失
編集者の視点 「OpenAIで何が起きていたのか」など3本
米OpenAI(オープンAI)で2023年11月17日(以下はいずれも米国時間)に起きたお家騒動が話題です。しかし本コラムの執筆時点では、理事会がサム・アルトマン氏をCEO(最高経営責任者)から退けた本当の理由や、オープンAIの今後については全く不明であるため、アルトマン氏の解任騒動をきっかけに報じられたオープンAIの過去に関する記事などを紹介します。 お家騒動の前に、オープンAIに起きていたこ
NECなど、複数ロボの動作プラン自動生成 40日が1日に
NECと矢崎総業は、自動車内の電力供給や情報伝送を担うワイヤハーネスの製造において、複数台のロボットが関与する動作プランを自動で生成する実証実験を行った。従来、技術者はロボットの動作プランを教示するティーチング作業に40日ほどの期間をかけていた。それをNECが開発するAI(人工知能)やアプリケーションで構成される「NEC デジタルロボット動作計画ソリューション」によって、1日に短縮できた。同ソリ
「アンモニア混焼」で火力発電を脱炭素 日韓で供給網
アンモニア混焼は、火力発電の燃料の一部をアンモニアに置き換える手法だ。アンモニア(NH₃)は炭素を含まないため、燃焼時に二酸化炭素(CO₂)を排出しない。火力発電は日本国内のCO₂総排出量の約4割を占める。資源エネルギー庁は国内全ての石炭火力発電でアンモニアを20%混焼させることで約4000万トン、50%混焼で約1億トンのCO₂を削減できると試算する。2050年にカーボンニュートラルを掲げる日本
「出願の7割はアジア」「アマゾンを提訴」 知財動向
知財に関する注目動向をダイジェスト形式でお届けします。 22年の特許出願件数は約346万件、7割はアジアから 世界知的所有権機関(WIPO)は、2022年の特許・商標・意匠出願件数を発表した。報告書によると、世界の特許出願件数は3年連続で増え、345万7400件に達した。発表に当たっては、地政学的な不安定さと経済見通しの不透明さが成長を妨げる恐れがある、との警戒感も示した。 国・地域別では、中国、
電通大、Si基板にInAsナノワイヤ作製 量子デバイスに
電気通信大学大学院の研究グループは、シリコン(Si)基板上にIII-V族半導体であるヒ化インジウム(InAs)の量子ナノワイヤを作製することに成功した。従来よりも10倍以上の高密度、かつ細線直径の標準偏差が10%以下の高均一化を実現した。量子ナノワイヤ内に量子ドット構造を内蔵したデバイスなどへの展開が期待される。 本研究では、分子線エピタキシー(MBE)法により、Si基板表面の酸化膜にガリウム(